放大倍数 | 20-60000x |
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其他介绍 | 分辨率:5nm(30kv,SE Image)20nm(30KV,BSE Image) 电压:1-30kv(1/5/10/15/20/30) 探测器:SE(Secondary Electron)二次电子,BSE(Back scattered Electron)背散射电子 电子枪:Tungsten Filament(cartridge)钨灯丝 光阑:200um(fix) 真空模式:High Vacuum高真空系统 (Low Vacuum低真空系统可选),电子显微镜,样品台尺寸:X:35㎜,Y:35㎜,R:360?/3-axis 样品尺寸:70*30mm |